MOS管作为功率器件，在选型时需要考虑：耐压、驱动电压、导通损耗、开关损耗、温升等。
1、漏源电压Vds：需要考虑漏极和源极之间能够承受的最大电压，过大会导致MOS管击穿，损坏器件；
2、栅源电压Vgs：栅源之间作为驱动MOS管的驱动电压，一般在正负20V范围内，需要考虑能否提供此电压用于驱动MOS管；
3、阈值电压Vgs（th）：驱动NMOS管时，需要设计栅源两级之间的电压超过Vgs（th）；驱动PMOS管时，需要设计栅源两级之间的电压反偏，并超过Vgs（th）；
4、漏源电流Id：MOS管导通时，与导通电阻会造成损耗；
5、导通电阻Rds（on）：MOS管导通时，漏源极之间存在导电沟道，完全导通时存在的电阻即为Rds（on），并且不同的Vgs会影响其大小，进而影响漏源电流Id，综合下来会影响MOS管的导通损耗；
6、极间电容 ↓
MOS管存在三个主要的极间电容（顾名思义就是栅漏源各极之间存在的电容），分别是Ciss（输入电容）、Coss（输出电容）、Crss（反向传输电容）。这些极间电容的存在是由MOS管器件的制造工艺、物理结构决定的，存在于各氧化层、金属层、PN结耗尽层之间。
Ciss（输入电容）：Ciss由栅源电容和栅漏电容并联而成（测量时将漏源两极短接），即Ciss=Cgs+Cgd；
Coss（输出电容）：Coss由漏源电容和栅漏电容并联而成，即Coss=Cds+Cgd；
Crss（反向传输电容）：Crss主要是由栅漏电容组成，即Crss=Cgd；
Ciss：影响驱动MOS管，其中的Cgs分量主要影响MOS导通和关断的时间，驱动MOS管导通时，栅源之间的电压为Cgs充电，当Cgs充满后（即达到阈值电压），MOS导通；驱动MOS管关断时，栅源之间的电压不足以为Cgs充满到阈值电压，同时，Cgs将会放电至0，MOS管关断；
名为输入电容，故主要是影响输入环节（驱动环节），Ciss越大，栅源之间的充放电所需时间就越长，导致开关损耗增加。
开关损耗理解：当MOS管刚开始导通时，导通沟道刚开始形成，此时Rds还比较大，若Cgs越大，充放电时间越长，则达到完全导通的时间越长，那么Rds将长时间处于较大电阻，那么在导通和关断过程中，都会引起较大的损耗。
Coss：名为输出电容，故主要是影响输出环节，在MOS管开通和关断过程中，位于输出环路中的Cds会与电路中的寄生电感（如PCB走线电感等）形成LC谐振，具体的振荡频率取决于Cds和寄生电感的值。Cds引起电路谐振，漏极输出电压波形可能会产生振荡，影响某些软开关应用电路。
在MOS管开通时，位于漏源之间的Cds会被漏源极之间的电压充电，在MOS管关断时，Cds会通过Rds电阻回路进行放电；在MOS管开关过程中可能在输出端引起RC振荡，导致输出电压初期不稳定，振荡峰值也可能超过漏源电压最大值，从而损坏器件；同样，由于影响导通沟道的形成，也会产生开关损耗；高频振荡也会产生电磁干扰问题。
Crss：反向传输电容，也称米勒电容，在MOS管开通过程中，当Cgs充满到Vgs（th）后，剩余的Vgs会通过Crss与漏源回路中的Rds传输到源极，当MOS管完全导通后，此传输回路才消失，Vgs继续为Cgs充电至Vgs电压大小。
MOS管转移特性：Id与Vgs会在MOS管提供最大Id之前，成比例增大。
当Id达到最大，并且Vgs为Cgs充电、Vgs通过Crss传输至源极均完成之前，会有一段MOS平台电压，MOS管在此时没有完全导通（注意，MOS没有完全导通，也可以提供工作最大电流），所以此时会存在较大的Rds，造成MOS管开关损耗，导致MOS管发热严重。等到MOS管完成导通时，Vds=0，转移特效才会消失，米勒通路也没了。
控制MOS管平台电压时间变短，以减少开关损耗：
1、使Vgs驱动电压足够高，远大于Vgs（th）
2、增加驱动电流：通过降低驱动电阻或使用更强驱动能力的栅极驱动器，能够使Vds达到0的时间越短
